单晶Er2PdSi3的新颖磁行为
强关联电子
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们报告了对Er2PdSi3单晶（其晶体结构为AlB2衍生的六方结构）在两种取向下（H//[0001]和H//[2 -1 -1 0]）进行的交流与直流磁化率（chi）和电阻率（rho）测量结果。对于H//[0001]，交流磁化率数据显示出两个明显的磁转变，一个接近7 K，归因于反铁磁有序，另一个在2 K附近。然而，对于H // [2 -1 -1 0]，我们在低场chi(T)图中观察到7 K以上（接近11 K和23 K）的额外特征；同时，在rho(T)图中没有对应的异常。在这方面，该化合物的磁行为是新颖的，特别是与该系列的其他成员相比。对于两个方向，交流磁化率的特征对小直流磁场的响应不同。就低温（T= 1.8 和 5 K）等温磁化（M）行为而言，对于前者取向，它在约2 kOe附近表现出类变磁特征，并在高场下饱和；而对于后者，即使在120 kOe下也没有饱和。顺磁居里温度的符号在这两个方向上不同。因此，磁行为存在很强的各向异性。然而，有趣的是，发现rho(T)图基本上是各向同性的，数据揭示了在7 K以下可能形成了磁超区。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410532,
title = {Novel magnetic behavior of single crystalline Er2PdSi3},
author = {K. K. Iyer and P. L. Paulose and E. V. Sampathkumaran and M. Frontzek and A. Kreyssig and M. Doerr and M. Loewenhaupt and I. Mazilu and G. Behr and W. Loeser},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410532},
year = {2009}
}
备注
Physica B, in press