单晶 Ho$_2$PdSi$_3$ 的磁性行为
强关联电子
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
通过磁抗性（）和电阻率（）测量研究了单晶 HoPdSi 的磁性行为，该物质晶体结构源自 AlB 的六方晶系。两种方向上的测量中， 和等温磁化数据在高温柯利-魏氏参数中没有显著的各向异性，尽管在两个垂直方向上的 大小之间存在明显的各向异性。整体而言，各向异性程度在 Gd（是 S 态离子！）和 Tb 类似物中都不突出。值得注意的是，该化合物在 8 K 以下会发生长程磁性有序，类似于其它 Gd 和 Dy 化合物。鉴于这些化合物中局域化 f 轨道的特征，最近文献中指出的等离子体 U 化合物的自旋玻璃冻结现象，可能归因于 f-配体杂化作用，而不仅仅是 Pd-Si 无序。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207199,
title = {Magnetic behavior of single crystalline Ho$_2$PdSi$_3$},
author = {E. V. Sampathkumaran and H. Bitterlich and K. K. Iyer and W. Löser and G. Behr},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207199},
year = {2009}
}
备注
Physical Review B, in press