Bi2Se3单晶的高场磁电导分析
材料科学
2018-07-16 v1 强关联电子
摘要
我们报道了通过自熔剂法生长的Bi2Se3拓扑绝缘体的高场（高达14Tesla）磁电导分析。包括晶体生长以及所得Bi2Se3单晶的电学、热学与谱学表征在内的详细实验研究已由我们部分成员发表。本通讯致力于基于Hikami Larkin Nagaoka（HLN）模型的高场磁电导分析，其揭示电子传导由表面态驱动的弱反局域化（WAL）以及体相弱局域化（WL）态共同主导。进一步，通过应用HLN方程我们提取了拟合参数即相位相干长度与前置因子。HLN方程给出的前置因子值接近-1.0，表明WAL与WL的共同贡献。另一方面，提取的相位相干长度随温度从5K升至200K分别从11.125 nm降至5.576 nm。总之，该短讯主要讨论了利用HLN模型对原始Bi2Se3单晶进行的温度依赖磁电导分析。
引用
@article{arxiv.1807.04925,
title = {High Field Magneto-Conductivity Analysis of Bi2Se3 Single Crystal},
author = {Rabia Sultana and Ganesh Gurjar and S. Patnaik and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04925},
year = {2018}
}
备注
Letter to Editor MS: 10 pages including 3 Figs