Bi₂Se₃中扩散电子输运揭示的可调表面电导
介观与纳米尺度物理
2011-06-16 v5
摘要
我们证明弱反局域化效应可作为一种便捷方法，用于探测拓扑绝缘体薄膜中解耦的表面输运。在体费米面与表面态共存的区域，低场磁电导可由描述非相互作用电子单组分输运的Hikami-Larkin-Nagaoka方程很好地描述。当电子密度降低时，磁输运行为偏离单组分描述，并发现强有力的证据表明底面和顶面存在独立的导电通道。尽管电子-电子相互作用不可忽略，但由塞曼能量引起的电导率修正中与磁场相关的部分被证明可以忽略不计。
引用
@article{arxiv.1104.0986,
title = {Tunable Surface Conductivity in Bi2Se3 Revealed in Diffusive Electron Transport},
author = {J. Chen and X. Y. He and K. H. Wu and Z. Q. Ji and L. Lu and J. R. Shi and J. H. Smet and Y. Q. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0986},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 3 figures. For comments and questions, please contact: [email protected]