拓扑单晶 SnSb2Te4 的结构与弱反局域化分析
材料科学
2021-07-08 v1 强关联电子
摘要
本文中，我们报道利用自熔剂法成功生长 SnSb2Te4 单晶。在机械剥离晶体薄片上获取的 X 射线衍射（XRD）图谱确认了单向晶体生长，而 Rietveld 精修粉末 XRD（PXRD）图谱确认了所生长晶体的相纯度。扫描电子显微镜（SEM）图像与能量色散 X 射线分析（EDAX）确认了结晶形貌与组元的精确化学计量比。拉曼光谱中观测到的振动模式也确认了 SnSb2Te4 相的形成。直流电阻率测量确认了所生长晶体的金属性。高达 5T 的磁输运测量显示出非饱和的低磁阻百分比。低场下的 V 型尖点与 Hikami Larkin Nagaoka（HLN）拟合确认了 SnSb2Te4 中的弱反局域化（WAL）效应。密度泛函理论（DFT）计算显示出拓扑非平庸电子能带结构。这是对 SnSb2Te4 单晶磁阻研究与 WAL 分析的首次报道。
引用
@article{arxiv.2107.03014,
title = {Structural and WAL analysis of Topological single-crystal SnSb2Te4},
author = {Ankush Saxena and M. M. Sharma and Prince Sharma and Yogesh Kumar and Poonam Rani and M. Singh and S. Patnaik and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.03014},
year = {2021}
}
备注
22 Pages Text + Figs: comments/suggestions welcome