TiSeS 的晶体生长、表征与电子能带结构
强关联电子
2023-10-25 v2
摘要
层状半金属性范德瓦耳斯材料 TiSe2 因电荷密度波(CDW)态与超导性之间的相互作用而备受关注。其同构化合物 TiS2 与 TiSe2 为等价电子且晶体结构相同,表现出半导体行为。自然产生的问题是 TiSe2-xSx 在接近 x=1 时的转变点会发生什么。本文报道了 TiSeS 单晶的生长与表征,并利用密度泛函理论(DFT)和角分辨光电子能谱(ARPES)对其电子结构进行了研究。我们表明 TiSeS 单晶具有与 TiSe2 相同的形貌。输运测量揭示了金属态,未发现 CDW 证据。DFT 计算表明 TiSeS 中的电子能带结构与 TiSe2 相似,但 TiSeS 中的电子袋与空穴袋要小得多。ARPES 结果与计算吻合良好。
引用
@article{arxiv.2210.12799,
title = {Crystal growth, characterization and electronic band structure of TiSeS},
author = {Y. Shemerliuk and A. Kuibarov and O. Feia and M. Behnami and H. Reichlova and O. Suvorov and S. Selter and D. V. Efremov and S. Borisenko and B. Büchner and S. Aswartham},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.12799},
year = {2023}
}
备注
22 pages, 9 figures