Stanene/Al2O3(0001)中实现室温量子自旋霍尔效应的可能性
材料科学
2018-10-12 v1
摘要
具有适当宽带隙的二维量子自旋霍尔(QSH)绝缘体对于各种创新技术的发展至关重要。通过系统的密度泛函计算和紧束缚模拟，我们发现位于{\alpha}-氧化铝表面的锡烯(stanene)可能在{\Gamma}点具有可观的拓扑非平庸带隙(~0.25 eV)。此外，锡烯与衬底原子级成键但在电子上退耦合，在很大程度上提供了高结构稳定性和孤立的QSH态。其潜在的物理机制相当普遍，该发现可能为探索用于室温器件应用的QSH绝缘体开辟新视野。
引用
@article{arxiv.1701.07526,
title = {Possibility of Realizing Quantum Spin Hall Effect at Room Temperature in Stanene/Al2O3(0001)},
author = {Hui Wang and S. T. Pi and J. Kim and Z. Wang and H. H. Fu and R. Q. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.07526},
year = {2018}
}