Ge异质结构中的光学自旋注入与自旋寿命
材料科学
2012-04-19 v1
摘要
我们演示了Ge/SiGe量子阱中的光学取向，并研究了其自旋性质。从布里渊区中心到其边缘的超快电子转移使我们能够实现高自旋极化效率，并分辨空穴和电子的自旋动力学。直接带隙光致发光的圆偏振度超过了理论体极限，对于与重空穴和轻空穴态的跃迁，分别达到约37%和约85%。发现价带顶空穴的自旋寿命约为0.5 ps，它由重空穴和轻空穴态之间的跃迁决定。另一方面，在150 K以下，导带底电子的自旋寿命超过5 ns。对电子自旋弛豫的理论分析表明，声子诱导的谷间散射决定了自旋寿命。
关键词
引用
@article{arxiv.1111.5209,
title = {Optical spin injection and spin lifetime in Ge heterostructures},
author = {F. Pezzoli and F. Bottegoni and D. Trivedi and F. Ciccacci and A. Giorgioni and P. Li and S. Cecchi and E. Grilli and Y. Song and M. Guzzi and H. Dery and G. Isella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5209},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures