n-GaAs 中光取向电子散射相关的电阻
介观与纳米尺度物理
2023-12-01 v1
摘要
在体 GaAs 晶体中，检测到一种当自旋极化电流流过样品时发生的异常磁电阻效应。在电子自旋光泵浦条件下，沿电流方向且垂直于取向自旋的外磁场会降低材料电阻。该现象源于电子被中性施主的自旋相关散射。研究发现磁电阻符号不依赖于激发光圆偏振的符号，该效应关于载流子自旋极化符号是偶的，这表明光取向自由电子与局域于施主上的电子自旋之间存在关联。
引用
@article{arxiv.2311.18713,
title = {Electrical resistance associated with the scattering of optically oriented electrons in n-GaAs},
author = {M. D. Ragoza and N. V. Kozyrev and S. V. Nekrasov and B. R. Namozov and Yu. G. Kusrayev and N. Bart and A. Ludwig and A. D. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.18713},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 4 figures