磁场诱导 p-GaAs(Cs,O) 向真空的自旋依赖光电子发射
介观与纳米尺度物理
2008-05-24 v2
摘要
实验观察到在垂直于表面的磁场中，光取向电子从 p-GaAs(Cs,O) 向真空的自旋依赖发射。这一现象在考虑半导体 - 真空界面处电子 g 因子突变的模型中得到了解释。由于这种突变，半导体表面的有效电子亲和势取决于光取向电子自旋与磁场的相互方向，从而导致自旋依赖的光电子发射。研究表明，观测到的效应可用于测定半导体中的自旋扩散长度。
引用
@article{arxiv.0801.4430,
title = {Magnetically induced spin-dependent photoemission from p-GaAs(Cs,O) into vacuum},
author = {D. A. Orlov and V. L. Alperovich and A. S. Terekhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.4430},
year = {2008}
}
备注
7 pages, 6 figures, published version