半导体量子点中光电流线型的功率依赖性

A. Russell; Vladimir I. Fal'ko

doi:10.1063/1.2803850

半导体量子点中光电流线型的功率依赖性

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v1

作者: A. Russell , Vladimir I. Fal'ko

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们提出了一种动力学理论，用于描述低温下光泵浦量子点在零磁场和有限磁场中光电流 (PC) 线型的功率依赖性 $I_{PC}(P)$ 。我们表明存在一个由电子和空穴隧穿率决定的交叉功率 $P_c$ ，在此功率下光电流谱受到量子点动力学的强烈影响，不再反映量子点中的激子寿命。对于 $P>P_c$ ，我们表明由于空穴逃逸速率缓慢（例如在 InGaAs/GaAs 量子点中），光电流达到饱和，而线宽随功率增加： $\Gamma \propto \sqrt{P}$ 。我们还分析了在高磁场下研究的光电流自旋双重态线型在多大程度上反映了入射光的圆偏振度。

关键词

光电流线型半导体量子点动力学理论功率依赖性隧穿率激子寿命自旋双重态圆偏振

引用

@article{arxiv.0707.3555,
  title  = {Power Dependence of the Photocurrent Lineshape in a Semiconductor Quantum Dot},
  author = {A. Russell and Vladimir I. Fal'ko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3555},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 3 figures

半导体量子点中光电流线型的功率依赖性

摘要

关键词

引用

备注

相关论文