半导体量子阱中激子的电子自旋拍频磁化率
其他凝聚态物理
2008-04-16 v1
摘要
近期对量子阱中长寿命电子自旋相干性的时间分辨差分透射和法拉第旋转测量显示出引人注目的参数依赖性。为了理解这些现象，我们构建了一种微观理论，描述在量子阱平面内施加弱磁场时，由保留自旋相干性的电子组成的光非相干激子气体的光学响应。我们定义了自旋拍频磁化率，并在激子密度的一阶线性近似下对其进行了评估。我们的结果解释了实验测量中观察到的基本特征背后的多体物理机制。
引用
@article{arxiv.0804.2418,
title = {Electron-spin beat susceptibility of excitons in semiconductor quantum wells},
author = {N H. Kwong and S. Schumacher and R. Binder},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2418},
year = {2008}
}