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半导体量子阱中的激子自旋动力学

其他凝聚态物理 2009-11-13 v1

摘要

本文将综述半导体量子阱中的激子自旋动力学。纳米结构中激子的自旋特性由其精细结构决定。本综述将主要聚焦于作为模型系统的 GaAs 和 InGaAs 量子阱。

关键词

引用

@article{arxiv.0711.2030,
  title  = {Exciton Spin Dynamics in Semiconductor Quantum Wells},
  author = {Thierry Amand and Xavier Marie},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0711.2030},
  year   = {2009}
}

评论

55 pages, 27 figures

R2 v1 2026-06-29T05:36:21.310Z