通过量子阱中施主局域化增强电子自旋记忆
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
我们提出了易于复现的实验条件，可在低温下在量子阱中获得长的电子自旋弛豫和退相时间。所提出的系统包括一个被施主势局域化的电子，并浸入量子阱中以改善其相对于体材料中施主的局域化。我们通过使用光致法拉第旋转技术，测量了位于80A CdTe量子阱中间的施主上局域化的电子的自旋弛豫和退相时间，分别得到15ns和18ns，这比之前在类似CdTe量子阱中获得的自由电子自旋弛豫和退相时间（J. Tribollet et al. PRB 68, 235316 (2003)）长了近两个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610068,
title = {Enhancement of the electron spin memory by localization on donors in a quantum well},
author = {J. Tribollet and E. Aubry and G. Karczewski and B. Sermage and F. Bernardot and C. Testelin and M. Chamarro},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610068},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 4 figures