[001] 和 [111] 生长 GaAs 量子点中自旋轨道诱导电子自旋弛豫的各向异性
介观与纳米尺度物理
2015-03-10 v1
摘要
我们报告了对立方体形 GaAs 量子点（QDs）中单电子 Zeeman 子能级间自旋弛豫各向异性的系统研究。量子点受到面内磁场的作用。随着磁场方向的变化，弛豫率呈现周期性振荡，显示出弛豫率被抑制数个数量级的“魔角”。这种行为在不同形状、高度、晶体学取向和外场的量子点中均被发现。这些角度的起源可追溯至哈密顿量中自旋混合项的对称性。在 [001] 生长的量子点中，Rashba 和 Dresselhaus 自旋轨道项的抑制角度不同。相比之下，在 [111] 生长的量子点中它们相同，这应有助于彻底抑制自旋轨道诱导的弛豫。我们的结果证明，即使在准二维量子点中，立方 Dresselhaus 项在决定自旋弛豫各向异性方面也起着关键作用。
引用
@article{arxiv.1409.2392,
title = {Anisotropy of spin-orbit induced electron spin relaxation in [001] and [111] grown GaAs quantum dots},
author = {C. Segarra and J. Planelles and J. I. Climente and F. Rajadell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.2392},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 6 figs, submitted to PRB on 07/30/14