通过数字合金化提高三元 InGaAs 量子阱的迁移率
介观与纳米尺度物理
2024-07-09 v2 材料科学
摘要
高 In 含量 InGaAs 量子阱（In ≥ 75%）在拓扑量子计算和自旋电子学应用中具有潜在用途。在高迁移率 InGaAs 量子阱中，合金无序散射是一个限制因素。在本报告中，我们证明，通过将 InGaAs 量子阱生长为数字合金或短周期超晶格，可以降低量子阱内的合金无序散射，并将 2 K 峰值电子迁移率提高至 545,000 cm²/V·s，据作者所知，这是高 In 含量 InGaAs 量子阱报道的最高迁移率。我们的结果表明，数字合金方法可用于提高随机合金三元材料中量子阱的迁移率。
引用
@article{arxiv.2403.17166,
title = {Enhanced mobility of ternary InGaAs quantum wells through digital alloying},
author = {Jason T. Dong and Yilmaz Gul and Aaron N. Engel and Teun A. J. van Schijndel and Connor P. Dempsey and Michael Pepper and Christopher J. Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.17166},
year = {2024}
}