角度分辨光电子能谱研究 Ba(Zn0.875Mn0.125)2As2 的电子结构
材料科学
2016-11-14 v1
摘要
单晶 Ba(ZnMn)As（最近发现的高温铁磁半导体的母体化合物）的电子结构通过高分辨光电子能谱（ARPES）进行了研究。通过系统的光子能量和偏振依赖测量，实验确定了沿面外和面内方向的能带。除Mn的局域态外，测量的能带色散与未掺杂 BaZnAs 的第一性原理计算非常吻合。除了先前在约 -3.3 eV 处观察到的特征外，在约 -1.6 eV 结合能处识别出一个与Mn 3d态相关的新特征。我们认为Mn与As轨道之间的杂化强烈增强了约 -1.6 eV 附近的态密度。尽管我们的分辨率比之前的软X射线光电子能谱实验要好得多，但未检测到先前模型计算提出的Mn 3d态与价带之间明确的杂化能隙。
引用
@article{arxiv.1611.03595,
title = {Electronic structure of Ba(Zn0.875Mn0.125)2As2 studied by angle-resolved photoemission spectroscopy},
author = {Fengfeng Zhu and W. X. Jiang and P. Li and Z. Q. Wang and H. Y. Man and Y. Y. Li and Canhua Liu and D. D. Guan and J. F. Jia and F. L. Ning and Weidong Luo and D. Qian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03595},
year = {2016}
}