BaNi$_2$As$_2$ 的电子结构
超导电性
2011-01-27 v2
摘要
通过角分辨光电子能谱研究了在约 131 K 处存在一级相变的 BaNiAs。将测得的电子结构与局域密度近似计算结果进行比较，揭示了在 点附近存在相似的大电子型能带，以及在 - 方向上的差异。我们进一步表明，BaNiAs 的电子结构与其同族的铁基砷化物截然不同。特别是，没有能带折叠的迹象，表明不存在共线的自旋密度波相关的磁有序。此外，在强一级相变过程中，能带移动表现出磁滞现象，这直接与 BaNiAs 中显著的晶格畸变有关。
引用
@article{arxiv.1010.1905,
title = {Electronic structure of BaNi$_2$As$_2$},
author = {Bo Zhou and Min Xu and Yan Zhang and Gang Xu and Cheng He and L. X. Yang and Fei Chen and B. P. Xie and Xiao-Yu Cui and Masashi Arita and Kenya Shimada and Hirofumi Namatame and Masaki Taniguchi and X. Dai and D. L. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1905},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 7 figures