双层 MoS2 中各临界点层间电子耦合的定量测定
材料科学
2022-10-05 v1
摘要
调控层间耦合已成为调节范德瓦耳斯（vdW）双层电子结构的有力手段。一个例子是利用莫尔图案，通过层间电子耦合的构型依赖性来创建可控的二维电子超晶格。该方法在扭转石墨烯双层以及过渡金属硫族化物（TMD）同双层与异双层中带来了一些显著发现。然而，一个很大程度上未被探索的因素是层间距 d，它可指数性地影响层间耦合强度。在本快报中，我们定量测定了双层 MoS2 中布里渊区各临界点处耦合强度随层间距的变化关系。我们证明了耦合参数对间隙距离的指数依赖关系。最为显著的是，我们将 K 谷耦合强度提升了 280%，同时 vdW 间隙减小了 8%，这为在 vdW 双层中设计新型电子系统指出了一条新策略。
引用
@article{arxiv.2203.16189,
title = {Quantitative determination of interlayer electronic coupling at various critical points in bilayer MoS2},
author = {Wei-Ting Hsu and Jiamin Quan and Chi-Ruei Pan and Peng-Jen Chen and Mei-Yin Chou and Wen-Hao Chang and Allan H MacDonald and Xiaoqin Li and Jung-Fu Lin and Chih-Kang Shih},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.16189},
year = {2022}
}