二维范德瓦耳斯 Nb$_3$X$_8$ 单层中的莫特特性（X=Cl, Br, I）

我们研究了强电子-电子关联效应对二维范德瓦耳斯材料 Nb$_3$X$_8$（X=Cl, Br, I）的影响。我们发现 Nb$_3$X$_8$ 单层是接近强关联极限的理想体系。它们可用半填充单带 Hubbard 模型描述，其中 Hubbard 相互作用 U 与带宽 W 之比 U/W $\approx$ 5 $\sim$ 10。该材料的莫特转变与磁转变均由 slave boson 平均场理论算出。对莫特态掺杂后，发现了 $d_{x^2-y^2}+id_{xy}$ 超导配对不稳定性。我们还针对两个可滑动的 Nb$_3$X$_8$ 层构建了一个可调双层 Hubbard 系统。该双层系统展现出带绝缘体与莫特绝缘体之间的交叉。