单层1T-NbSe$_2$中的掺杂Mott相和电荷关联
强关联电子
2025-02-04 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
掺杂Hubbard模型是构建奇异量子多体态（包括电荷有序态、奇异金属和非常规超导体）的典范平台之一。虽然未掺杂和掺杂关联相已在多种扭转范德华材料中实验实现，但在单层材料，特别是1T过渡金属二硫属化物中的实验，仅达到了常规的绝缘未掺杂区域。单层二维材料中的关联相具有比其扭转对应物高得多的能量尺度，使得掺杂关联单层成为高温关联量子物态的一个有吸引力的平台。在此，我们展示了在范德华二硫属化物1T-NbSe单层中实现了掺杂Mott相。由于电子通过邻近效应转移到单层范德华衬底，该系统被电子掺杂，导致一个同时具有半满和全满格点的关联三角晶格。我们分析了半满和全满格点的分布，并表明这种排列不太可能仅由无序控制，同时我们表明，竞争性非局域多体关联的存在可以解释实验发现的电荷关联。我们的结果确立了1T-NbSe作为一个潜在的单层平台，用于探索阻挫晶格中的关联掺杂Mott物理。
引用
@article{arxiv.2401.08296,
title = {Doped Mott phase and charge correlations in monolayer 1T-NbSe$_2$},
author = {Xin Huang and Jose L. Lado and Jani Sainio and Peter Liljeroth and Somesh Chandra Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.08296},
year = {2025}
}