掺杂关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott转变:超晶格势和格点间关联的影响
强关联电子
2009-10-01 v2
摘要
我们引入了超结构Mott性的概念,用以描述在远离每个格点一个电子的公度填充分数下,掺杂强关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott转变。我们证明,当超结构每个超原胞包含奇数个电子时,超结构Mott性出现在非均匀电子系统中。我们认为,即使没有超晶格破坏平移对称性,只要扩展的或格点间的库仑相互作用足够强,超结构Mott性也存在。在后一种情况下,超结构Mott性为Mott和Wigner物理以及Wigner-Mott转变的非微扰强耦合描述提供了一个统一的框架。我们通过研究一个最小化的单带离子Hubbard t-U-V-Δ模型来支持我们的提议,该模型包含最近邻库仑排斥V和双子晶格离子势Δ。该模型被映射到一个Hubbard模型,该模型具有两个有效“轨道”代表超原胞内的两个格点,轨道内和轨道间库仑排斥U和U'~V,以及一个晶体场分裂Δ。原始晶格上的电荷序对应于轨道序。通过发展团簇Gutzwiller近似,我们研究了V和Δ对四分之一填充时Mott和Wigner-Mott转变的影响及其相互作用。我们提供了超晶格势增强关联效应和局域磁矩形成趋势的机制,并在超结构Mott性的统一框架下构建并阐明了相图。
引用
@article{arxiv.0807.3750,
title = {Mott and Wigner-Mott transitions in doped correlated electron systems: effects of superlattice potential and inter-site correlation},
author = {Chunhua Li and Ziqiang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3750},
year = {2009}
}
备注
expanded published version 11 pages, 8 figures, Revtex4 file