1T-TaS$_{2-x}$Se$_x$ 中堆叠序随掺杂的抑制
材料科学
2023-09-26 v1 强关联电子
摘要
在 1T-TaSSe 中，电荷密度波（CDW）态具有大卫之星晶格，该晶格在系统冷却变为公度时跨层扩展。这些层也可沿 c 轴有序排列，且已提出不同的堆叠序。利用粉末样品的中子散射，我们比较了先前在 1T-TaS 中观测到的、系统被 Se 掺杂时的堆叠序。虽然在低温下，TaS 中观测到 13c 层序堆叠，但这种有序在掺杂时并不明显。用 Se 掺杂导致近公度态且 Mott 态被抑制，这可能与层堆叠的缺失有关。
引用
@article{arxiv.2309.13460,
title = {Suppression of stacking order with doping in 1T-TaS$_{2-x}$Se$_x$},
author = {Sharon S. Philip and Despina Louca and J. C. Neuefeind and Matthew B. Stone and A. I. Kolesnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.13460},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 3 figures