Ti 掺杂对 1T-TaS2 中非公度电荷密度波的影响
强关联电子
2015-05-22 v2
摘要
我们报告了关于 Ti 空穴掺杂对 1T-Ta(1-x)Ti(x)S(2) 中电荷密度波 (CDW) 影响的温度依赖性输运和 X 射线衍射测量结果。证实了以往的研究，我们发现即使微量杂质也会消除该系统中的低温公度 (C) 相。令人惊讶的是，近公度 (NC) 相中 CDW 波矢的面内分量幅值并未随 Ti 浓度发生显著变化，这与费米面体积变化所预期的不同。相反，基面内 CDW 的角度发生了旋转，从 x=0 时的 11.9 度变为 x=0.12 时的 16.4 度。Ti 取代还导致了非公度 (IC) 相与 NC 相共存区域的扩展，表明转变附近存在异质成核。最后，我们将 DiSalvo [F. J. DiSalvo, et al., Phys. Rev. B {\bf 12}, 2220 (1975)] 最初观察到的电阻异常解释为源于 CDW 在晶格上的钉扎。我们的研究强调了 NC 相中公度化效应的重要性，特别是在 x ~ 0.08 时。
引用
@article{arxiv.1411.6604,
title = {Influence of Ti doping on the incommensurate charge density wave in 1T-TaS2},
author = {X. M. Chen and A. J. Miller and C. Nugroho and G. A. de la Pena and Y. I. Joe and A. Kogar and J. D. Brock and J. Geck and G. J. MacDougall and S. L. Cooper and E. Fradkin and D. J. Van Harlingen and P. Abbamonte},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6604},
year = {2015}
}