掺杂 CsV$_3$Sb$_5$ 电荷密度波的二维相图
超导电性
2024-03-13 v1 材料科学
强关联电子
摘要
Kagome 超导体 AVSb（A = K、Rb 和 Cs）因共存多种特殊有序而备受近期关注。在其中，电荷密度波（CDW）序存在各种非常规行为。本文通过结合 Bulk 和 Surface 掺杂方法来研究 CDW 序。虽然 Bulk 掺杂改变载流子和晶格，但 Surface 掺杂主要调制载流子浓度。因此，我们的结果揭示了掺杂 CsVSb CDW 的二维相图。在轻度 Bulk 掺杂范围内，CDW 序可以通过调节载流子浓度而实现可逆。但过度 Bulk 掺杂会毁灭 CDW，无论载流子掺杂水平如何。这些结果为从电子和结构自由度理解 CDW 的起源提供了洞见，也为操控 Kagome 超导体中的特殊 CDW 序开辟了途径。
引用
@article{arxiv.2403.07504,
title = {Two-dimensional phase diagram of the charge density wave in doped CsV$_3$Sb$_5$},
author = {Linwei Huai and Hongyu Li and Yulei Han and Yang Luo and Shuting Peng and Zhiyuan Wei and Jianchang Shen and Bingqian Wang and Yu Miao and Xiupeng Sun and Zhipeng Ou and Bo Liu and Xiaoxiao Yu and Ziji Xiang and Min-Quan Kuang and Zhenhua Qiao and Xianhui Chen and Junfeng He},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.07504},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 4 figures