层状 Kagome 金属中由电荷密度波涨落驱动的复合序

新发现的 kagome 金属 AV$_3$Sb$_5$（A = K, Rb, Cs）为研究电子关联与拓扑性相互作用产生的奇异相提供了令人兴奋的途径。除超导外，这些材料在约 100 K 处呈现电荷密度波（CDW）相，其起源仍不清楚。这些系统中稳健的多分量 $2 \times 2$ CDW 相因存在异常大的反常霍尔效应而备受关注。在层间耦合较弱的准二维系统中，可能出现涨落驱动的奇异相。特别是在具有多分量序参量的系统中，涨落可能导致复合序的建立：仅各序参量的乘积凝聚，而单个序参量本身保持无序。我们认为，此类涨落驱动的复合 CDW 序可能存在于 kagome 金属薄膜中 CDW 转变温度之上。研究表明，远离范霍夫奇点掺杂时材料中 Trihexagonal 态的熔化产生赝能隙区，其中谱权重集中于小口袋，而大部分原始费米面被打开能隙。我们的发现暗示弱耦合层状 kagome 金属中可能存在奇异相，在新合成的 kagome 金属薄膜中尤为如此。