中文

层状Kagome金属CsV$_3$Sb$_5$中电荷密度波的起源

材料科学 2022-02-02 v2 强关联电子

摘要

利用第一性原理计算,我们确定了层状kagome金属CsV3_3Sb5_5中观测到的电荷密度波(CDW)形成的起源。研究表明,形成三聚体和六聚体V原子的kagome晶格的结构畸变伴随着准分子态的稳定化,这导致在费米能级附近由V衍生的多能带打开CDW能隙。这种具有局域晶格畸变及其衍生准分子态的Jahn-Teller型不稳定性是CDW序的驱动力。具体而言,位于MM点的费米能级附近多个Dirac能带的鞍点沿kzk_z方向杂化而消失,因此不支持由费米面嵌套引起的被广泛接受的Peierls型电子不稳定性。进一步证明,施加静水压力显著减小层间距,使准分子态失稳,导致在{\sim}2 GPa压力下CDW相消失。本文提出的CsV3_3Sb5_5中CDW序的潜在机制也可适用于其他同结构kagome晶格,如KV3_3Sb5_5和RbV3_3Sb5_5

关键词

引用

@article{arxiv.2109.01921,
  title  = {Origin of Charge Density Wave in Layered Kagome Metal CsV$_3$Sb$_5$},
  author = {Chongze Wang and Shuyuan Liu and Hyunsoo Jeon and Jun-Hyung Cho},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2109.01921},
  year   = {2022}
}