电荷密度波诱导的峰-谷-肩结构及Kagome超导体CsV$_{3}$Sb$_{5}$中的多带超导性

在Kagome金属$A$V$_3$Sb$_5$（$A$ = K, Rb, Cs）家族中，近期发现了电荷密度波（CDW）、超导性与拓扑非平庸电子结构之间的纠缠。我们利用高分辨率角分辨光电子能谱研究了CsV$_3$Sb$_5$中CDW与超导的电子性质。发现在$\bar{K}$附近的谱表现出与两支独立色散相关的峰-谷-肩结构，表明在$E_{\rm F}$以下打开了各向同性的CDW能隙。该峰-谷-肩线形由下支中线性色散的Dirac能带与上支中靠近$E_{\rm F}$的无色散平带共同贡献。通过费米面嵌套导致的电子不稳定性可能在决定这些CDW相关特征中起作用。在$\bar{\Gamma}$附近的电子能带与$\bar{K}$附近的平带上均观察到约0.4 meV的超导能隙，意味着多带超导性。CDW相中$E_{\rm F}$处的有限态密度（DOS）最可能有利于多带超导性的出现，特别是与平带相关的增强态密度。我们的结果不仅阐明了CDW颇具争议的起源，也为CDW与超导性之间的关系提供了见解。