掺杂对单层 1H-TaS2 晶格不稳定性的影响
材料科学
2017-06-21 v1
摘要
近期对生长在 Au(111) 上的单层 1H-TaS2 的 ARPES 测量表明来自衬底的强电子掺杂。此外，该体系的 STM/STS 测量显示体相 2H-TaS2 中出现的电荷密度波 (CDW) 不稳定性受到抑制。我们展示了对自支撑单层 1H-TaS2 的从头算 DFT 计算结果，以探究掺杂对 CDW 的影响。在简谐近似下，我们发现未掺杂单层中沿 Gamma-M 线出现晶格不稳定性，这与体相 3x3 CDW 有序矢量一致。掺杂消除了 CDW 不稳定性，与实验结果相符。电子-声子耦合以及裸声子能量（未经金属电子屏蔽）的掺杂和动量依赖性决定了晶格振动的稳定性。电子掺杂还引起晶格膨胀，因此应变是一个次要但同样相关的效应。
引用
@article{arxiv.1702.08588,
title = {Effect of doping on lattice instabilities of single-layer 1H-TaS2},
author = {Oliver R. Albertini and Amy Y. Liu and Matteo Calandra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.08588},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 5 figures