通过衬底诱导电子掺杂实现单层 WSe$_2$ 中的激子调控

Yang Pan; Mahfujur Rahaman; Lu He; Ilya Milekhin; Gopinath Manoharan; Muhammad Awais Aslam; Thomas Blaudeck; Andreas Willert; Aleksandar Matković; Teresa I. Madeira; Dietrich R. T. Zahn

通过衬底诱导电子掺杂实现单层 WSe$_2$ 中的激子调控

材料科学 2022-07-21 v2

作者: Yang Pan , Mahfujur Rahaman , Lu He , Ilya Milekhin , Gopinath Manoharan , Muhammad Awais Aslam , Thomas Blaudeck , Andreas Willert , Aleksandar Matković , Teresa I. Madeira , Dietrich R. T. Zahn

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗

摘要

我们报道了通过衬底诱导的非简并掺杂在 WSe $_2$ 单层中实现的显著激子调控。我们观察到，与 hBN 和 SiO $_2$ 等介电衬底相比，当单层 WSe $_2$ 与高定向热解石墨（HOPG）接触时， $A$ 激子发生约 62 meV 的红移，同时光致发光（PL）强度猝灭 1-2 个数量级。作为从 HOPG 向 WSe $_2$ 掺杂的证据，我们观察到三离子发射强度的急剧增加。通过对 WSe $_2$ /HOPG、WSe $_2$ /hBN 和 WSe $_2$ /石墨烯进行系统的 PL 和开尔文探针力显微镜（KPFM）研究，我们得出结论：这种独特的激子行为是由来自衬底的电子掺杂诱导的。我们的结果提出了一种简单而高效的单层 WSe $_2$ 激子调控方法，这在基础理解和进一步器件开发中起着核心作用。

关键词

单层 WSe2 激子调控衬底掺杂光致发光三离子开尔文探针力显微镜

引用

@article{arxiv.2207.02993,
  title  = {Exciton tuning in monolayer WSe$_2$ via substrate induced electron doping},
  author = {Yang Pan and Mahfujur Rahaman and Lu He and Ilya Milekhin and Gopinath Manoharan and Muhammad Awais Aslam and Thomas Blaudeck and Andreas Willert and Aleksandar Matković and Teresa I. Madeira and Dietrich R. T. Zahn},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2207.02993},
  year   = {2022}
}

备注

14 pages, 10 figures

通过衬底诱导电子掺杂实现单层 WSe$_2$ 中的激子调控

摘要

关键词

引用

备注

相关论文