掺杂单层 MoS2 中的电子 - 声子相互作用、激发及超快光电子发射
材料科学
2015-02-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们分析了电子 - 声子耦合对掺杂单层 MoS2 光电子发射特性及超快响应的影响。该分析基于密度泛函理论 (DFT) 与多体理论（Eliashberg 理论）相结合的方法。具体而言，我们计算了不同掺杂浓度下系统的电子谱和声子谱、电子 - 声子耦合以及电子谱函数。我们还分析了系统的发射特性及其对飞秒 (fs) 激光脉冲的响应。结果表明，若考虑激子效应，未掺杂系统的发射峰位置与实验数据一致。掺杂系统的自能和谱函数结果表明，超快过程在系统响应中至关重要，这使得该系统在现代技术应用中具有吸引力。与石墨烯类似，掺杂系统在飞秒脉冲激发下表现出电子子系统的超快 (fs) 弛豫，以及由超快声子弛豫诱导的高可见光发射谱通量。结合高载流子迁移率，单层 MoS2 的这些特性可用于现代光电子技术。
引用
@article{arxiv.1501.07908,
title = {Electron-phonon interaction, excitations and ultrafast photoemission from doped monolayer MoS2},
author = {Neha Nayyar and Duy Le and Volodymyr Turkowski and Talat S. Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.07908},
year = {2015}
}