正交GeS的电子-声子散射对电子与光学性质的影响
材料科学
2017-04-20 v1
摘要
第六主族单硫族化合物因其独特的各向异性性质正引起广泛关注。最近有研究表明，GeS可作为一种具有高输入输出比的有前景吸收材料，这是设计未来光电器件的相关特性。本工作中，我们使用\emph{ab-initio}多体微扰理论研究了电子-声子耦合在正交GeS中的作用。我们确定了与导致第一和第二激子态的电子态有效耦合的振动模式。我们还研究了有限温度光学吸收，并表明即使在 下，电子-声子相互作用对于正确描述主要实验激发峰的位置和宽度也至关重要。我们的结果表明，电子-声子耦合对于正确描述单硫族化合物家族的光学性质是必不可少的。
引用
@article{arxiv.1704.05813,
title = {Electron-phonon scattering effects on electronic and optical properties of orthorhombic GeS},
author = {Cesar E. P. Villegas and A. R. Rocha and A. Marini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.05813},
year = {2017}
}
备注
Published in PRB