过渡金属硫族化物中光谱分辨的自由电子-光耦合强度

电子显微镜的最新进展引入了创新技术，使快速电子与紧密受限的强光场之间发生非弹性相互作用。这些通常被概括为光子诱导近场电子显微镜的技术，如今提供了以前所未有的能力来精确映射光学近场特性，并具有显著的空间分辨率，但其光谱分辨率却鲜少被研究。在本研究中，我们采用强啁啾且时间宽带的光脉冲来研究 MoS2 薄膜边缘处自由电子与光之间的相互作用。我们的方法揭示了电子-光耦合的细节，表明耦合强度对位置和光子能量均有显著的依赖关系。通过对简化模型系统进行数值模拟，我们确定这些调制是由入射场与反射场之间的光学干涉以及过渡金属硫族化物薄膜内引导的光学模式共同引起的。