半导体自由表面附近的 1/f 噪声
材料科学
2008-04-01 v1
摘要
本文描述了在自由半导体表面下方的耗尽区内产生的所谓 1/f 噪声。研究表明，1/f 噪声（可通过能带弯曲进行控制）与位于顶表面并延伸至体区的极窄能态（）之间存在联系。此外，还表明当能带弯曲减小时，噪声会降低。本文提供了这种降低的定量描述。本研究考虑了 n 型半导体。
引用
@article{arxiv.0803.4287,
title = {1/f noise near the free surface of a semiconductor},
author = {Tomasz Blachowicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.4287},
year = {2008}
}