杂质对用于场效应晶体管的并五苯薄膜生长的影响
材料科学
2008-10-03 v1
摘要
将并五苯醌(PnQ)杂质以0.001至0.474的数密度引入并五苯源材料中，以量化杂质含量和晶界结构对并五苯薄膜晶体管输运的相对影响。采用原子力显微镜(AFM)和顶接触并五苯薄膜晶体管的电学测量，将初始结构和最终薄膜结构直接关联起来，并得到器件迁移率随添加杂质含量的变化关系。结果表明，当源PnQ数分数低于约0.008时，迁移率下降四倍，而薄膜形貌没有显著变化。因此，对于这些低浓度，杂质要么作为均匀分布的缺陷，要么集中在其他未改变的晶界处，直接影响输运。对于更高的杂质浓度，迁移率的持续强烈下降与晶粒尺寸减小相关，表明在薄膜生长的早期阶段，杂质诱导了晶粒成核的增加。
引用
@article{arxiv.0810.0428,
title = {Effect of Impurities on Pentacene Thin Film Growth for Field-Effect Transistors},
author = {Elba Gomar-Nadal and Brad R. Conrad and William G. Cullen and Ellen D. Willams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.0428},
year = {2008}
}
备注
18 pages, 4 Figures, 1 Table