缺陷诱导的TTF-TCNQ薄膜中Peierls相变位移
材料科学
2010-09-14 v1
摘要
本文研究了通过物理气相沉积生长的四硫富瓦烯-四氰基对醌二甲烷（TTF-TCNQ）薄膜中，衬底材料和薄膜厚度对Peierls相变温度的影响。我们的分析表明，衬底材料和生长条件强烈影响薄膜的形貌。特别地，我们证明了薄膜中的Peierls相变温度低于TTF-TCNQ单晶。我们认为，这种效应源于TTF-TCNQ薄膜在生长过程中产生的缺陷。
引用
@article{arxiv.1009.2092,
title = {Defect-induced shift of the Peierls transition in TTF-TCNQ thin films},
author = {Vita Solovyeva and Michael Huth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2092},
year = {2010}
}
备注
21 pages, 10 figures, 1 table