杂质对并五苯岛状成核的影响
材料科学
2008-09-29 v1
摘要
通过将并五苯醌(PnQ)杂质以受控方式引入并五苯源材料中，定量研究了杂质含量对晶界结构和薄膜成核的相对影响。采用原子力显微镜(AFM)直接表征了使用源材料中0.0-7.5%重量比PnQ生长的薄膜。对亚单层岛捕获区面积分布随杂质含量变化的分析表明，当PnQ含量较高时，形成Pn岛的临界核尺寸小于低PnQ含量时的临界核尺寸。这一结果表明形成Pn-PnQ复合物的能量有利，进而暗示PnQ对Pn迁移率的主要影响可能源于PnQ缺陷的均匀分布。
引用
@article{arxiv.0809.4674,
title = {Effect of impurities on pentacene island nucleation},
author = {B. R. Conrad and Elba Gomar-Nadal and W. G. Cullen and A. Pimpinelli and T. L. Einstein and E. D. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.4674},
year = {2008}
}
备注
16 Pages, 5 figures, 1 Table