有偏电阻网络中的非高斯涨落：规模效应与普遍行为
统计力学
2011-02-17 v1
摘要
我们研究了有偏电阻网络在非平衡稳态中的电阻涨落分布。稳态条件源于基本电阻器破坏和恢复两种随机偏置过程之间的竞争。通过蒙特卡罗仿真计算了网络电阻的涨落，仿真在不同的施加电流值、不同大小和形状的网络以及不同程度的内在无序情况下进行。电阻涨落分布通常表现出对高斯性的显著偏离，特别是当电流接近电气击穿阈值时。在二维系统中，我们发现这种非高斯性通常与有限大小效应有关，因此在热力学极限下会消失，唯有在高度无序网络中例外情况仍然存在。在这些系统接近导体-绝缘体相变临界点时，非高斯性在大尺寸极限下仍然存在，并且可以很好地用普遍的 Bramwell-Holdsworth-Pinton 分布来描述。特别是，我们分析了网络形状对电阻涨落分布的影响。具体而言，我们考虑沿施加电流方向或垂直于其方向拉伸的准一维网络。发现分布属性存在显著各向异性。这些结果适用于受高电流密度应力的导电薄膜或颗粒结构线。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505478,
title = {Non-Gaussian Fluctuations in Biased Resistor Networks: Size Effects versus Universal Behavior},
author = {C. Pennetta and E. Alfinito and L. Reggiani and S. Ruffo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505478},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 4 figures. Invited talk at the 18-th International Conference on Noise and Fluctuations, 19-23 September 2005, Salamanca