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介观电导涨落对高斯分布的偏离

介观与纳米尺度物理 2009-10-30 v1

作者: M. C. W. van Rossum , Igor V. Lerner , Boris L. Altshuler , Th. M. Nieuwenhuizen

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摘要

我们考虑了金属介观体系的电导分布。该分布的方差描述了普适电导涨落，从而产生电导的高斯分布。我们用图解法计算了该分布的第三累积量，即对高斯分布的主要偏离。我们证实了随机矩阵理论的计算，即在准一维中主要贡献为零。然而，在准二维中第三累积量为负，而在三维中为正。

关键词

介观电导涨落第三累积量高斯分布随机矩阵理论准一维准二维

引用

@article{arxiv.cond-mat/9701204,
  title  = {Deviations from the Gaussian distribution of mesoscopic conductance fluctuations},
  author = {M. C. W. van Rossum and Igor V. Lerner and Boris L. Altshuler and Th. M. Nieuwenhuizen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9701204},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, Revtex, with eps figures,to appear in Phys Rev B