Pb氧化物-n-InAs结构中磁场依赖的零偏压扩散反常：二维与三维态共存
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
本文给出了在高达6T磁场下Pb氧化物-n-InAs隧道结构中零偏压反常（ZBA）的实验和理论研究结果。该结构的一个显著特征是在半导体表面附近的费米能级处二维（2D）和三维（3D）态共存。测量的ZBA振幅对外加磁场的强度和方向的依赖关系与所提出的理论模型一致。根据该模型，电子隧穿进入二维态并在二维层中扩散运动，而屏蔽的主要贡献来自三维电子。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9807041,
title = {Magnetic-field-dependent zero-bias diffusive anomaly in Pb oxide-n-InAs structures: Coexistence of two- and three-dimensional states},
author = {G. M. Minkov and A. V. Germanenko and S. A. Negachev and O. E. Rut and Eugene V. Sukhorukov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9807041},
year = {2009}
}
备注
8 double-column pages, REVTeX, 9 eps figures embedded with epsf, published version