一种新颖且精确的MOSFET随机电报信号低频噪声时域描述
统计力学
2015-05-18 v1
摘要
如今，随机电报信号在集成电路性能变异性中扮演重要角色，例如导致存储电路故障。该问题与MOS晶体管硅-氧化物(Si-SiO2)界面随机分布的众多陷阱处电子的连续捕获和发射有关。本文提出了一种新颖的解析和数值方法，用于在时域上统计描述由随机电报信号引起的电流波动。我们的结果包括两种不同情况：界面陷阱密度在能量上均匀分布时，以及如文献所述呈U形曲线（此处描述为简单二次函数）时。我们建立了相对误差作为捕获和发射概率相关参数的函数公式。为进行完整分析，使用了实验U形曲线并与理论方法进行了比较。
引用
@article{arxiv.1002.0392,
title = {A novel and precise time domain description of MOSFET low frequency noise due to random telegraph signals},
author = {Roberto da Silva and Gilson Wirth and Lucas Brusamarello},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0392},
year = {2015}
}