超薄栅氧化物击穿特性的低频噪声统计
其他凝聚态物理
2008-04-17 v1
摘要
我们研究了在金属氧化物半导体电容中，对厚度在2.5nm至4nm之间的超薄氧化物隧穿电流中，随应力电压下低频噪声的统计特性。统计分析包括(i)非高斯性(nG)，即噪声时间相关性程度的度量；以及(ii)积分噪声功率与直流漏电流之比(R)。nG中出现高峰表明新的隧穿路径出现，R则指示这些路径上的后续导电。我们的结果表明，nG和R特征对不同厚度和生长质量的氧化物均为通用性质，并且在联合漏电本身时，具有作为氧化物可靠性预测器的潜力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508370,
title = {Low frequency noise statistics for the breakdown characterization of ultra-thin gate oxides},
author = {N. Z. Butt and A. M. Chang and H. Raza and R. Bashir and J. Liu and D. L. Kwong},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508370},
year = {2008}
}
备注
4 pages