光诱导谷霍尔效应的非平衡理论
介观与纳米尺度物理
2021-02-03 v3
摘要
近来出现了一场科学争论：二维材料中谷霍尔效应(VHE)的实际根源是哪些过程？原始的VHE出现在具有电子弹道输运的样品中，其源于贝里相位效应导致的反常速度项。然而在无序样品中，人们提出了与电子被杂质散射相关的替代机制：(i) 称为斜散射的非对称电子散射，以及 (ii) 实空间中电子波包的移动，称为侧跳。有人声称，出于基本原理，侧跳不仅对VHE有贡献，而且无论拖曳力如何都会完全抵消反常项，因此侧跳与斜散射一起成为主导机制。然而，这一论断基于无外谷选择性光泵浦的平衡理论，这使得结果在基础层面有趣但不完整且不可实用。我们在本文中使用Keldysh非平衡图技术发展了光诱导VHE的微观理论，并发现非对称斜散射机制在带间吸收边附近占主导。这使我们能够解释基于VHE的光学晶体管的运作。
引用
@article{arxiv.2008.13186,
title = {Nonequilibrium Theory of Photoinduced Valley Hall Effect},
author = {I. Vakulchyk and V. M. Kovalev and I. G. Savenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.13186},
year = {2021}
}