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应变诱导非均匀磁场下石墨烯中的量子霍尔态

介观与纳米尺度物理 2012-09-05 v2 强关联电子

摘要

我们研究了石墨烯中应变诱导的量子化朗道能级。具体而言,发现弧形弯曲应变会导致非均匀赝磁场。利用描述节点附近低能物理的有效狄拉克模型,我们表明,与外加物理磁场的情况相比,石墨烯在应变诱导赝磁场中的若干关键定性性质有所不同。我们讨论了如何利用不同的应变强度,在石墨烯的不同子晶格上空间分离赝旋量的两个分量。这些结果通过石墨烯蜂窝晶格上的紧束缚计算进行了检验,该计算展现出所描述的所有特征。此外,我们发现,在平均场水平上引入哈伯德排斥会在 A 和 B 子晶格之间诱导出可测量的极化差异,这为本文提出的理论提供了一个独立的实验检验。

关键词

引用

@article{arxiv.1205.1169,
  title  = {Quantum Hall States in Graphene from Strain-Induced Nonuniform Magnetic Fields},
  author = {Yichen Chang and Tameem Albash and Stephan Haas},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1205.1169},
  year   = {2012}
}

备注

9 pages, 8 figures. Updated to version that appears in PRB