任意维度下具有精确能谱的应变诱导赝朗道能级

对石墨烯薄片施加特定的非均匀应变已被证明可在单粒子能谱中诱导出赝朗道能级，这可以用狄拉克点附近电子的赝磁场来解释。然而，这种朗道能级结构通常是近似的，且局限于低能区。在此，我们引入了一族任意空间维度 d 下的应变二分紧束缚模型，并从解析上证明它们的整个能谱由完全简并的赝朗道能级构成。这一构造将石墨烯蜂窝晶格上的三轴应变情形推广到了任意 d；在 d=3 时，我们的模型对应于金刚石晶格上的四轴应变。我们讨论了任意 d 下赝朗道能级的一般性质。