强弯曲石墨烯纳米带中赝朗道能级的解析解

已知非均匀弹性应变会在Dirac材料中诱导赝朗道能级。但当应变较强时，由于应变调制的费米速度和应变诱导的赝磁场中均出现复杂的空间依赖关系，这些赝朗道能级很难以解析方式分辨。我们通过同等处理非均匀费米速度和赝磁场的效应，对实验上可实现的强弯曲石墨烯纳米带中的赝朗道能级解进行了解析表征。该解析解可通过角分辨光电子能谱（ARPES）探测，并允许理论与各种输运实验（如完全无磁场下的Shubnikov-de Haas振荡以及由谷反常导致的负应变电阻率）进行定量比较。该解析解可推广至扭转二维材料和拓扑材料，并将为相关实验探索与应变电子学应用提供新思路。