应变扭转双层石墨烯中相互作用增强的拓扑 Hall 效应

我们分析了长程库仑相互作用对与六方氮化硼（hBN）紧密对齐的扭转双层石墨烯（TBG）在电荷中性附近能带间 Berry 曲率分布的影响。由于窄能带色散受抑，能带结构被电子-电子相互作用强烈重整化，因此能带的拓扑性质对填充敏感。使用 Hartree 形式，我们计算了线性与非线性 Hall 电导率，发现对于某些填充，远能带对 Hall 电流贡献显著，而中心能带的贡献被抑制。特别地，我们发现这些电流通常在能带彼此高度纠缠的能量区域附近普遍显著，且常伴随掺杂诱导的能带反转。我们的结果表明 TBG/hBN 中的拓扑输运被电子-电子相互作用显著修正，这为近期实验结果提供了简单解释。