二维六方砷化硼的电子结构与可调性

结合群论与密度泛函理论方法，获得了紧凑而精确的$k\cdot p$哈密顿量，用以描述二维材料六方砷化硼(h-BAs)在$K$和$\Gamma$点附近的能带结构；该材料被预测为一种重要的低带隙材料，具有电学、热电和压电特性，可补充已被深入研究的二维材料六方氮化硼。六方砷化硼是一种直接带隙材料，带极值位于$K$点。在强电场或双轴应变作用下，其带隙变为间接带隙，导带最小值位于$\Gamma$点。在更高电场强度(约0.75 V/$\r{A}$)或较大应变($14$~\%)下，二维六方砷化硼变为金属性。我们的$k\cdot p$模型在最低阶包含了应变、电场和磁场的影响。密度泛函理论与$k\cdot p$预测在不同类型和电场与应变下均展现出优良的定性与定量一致。