六方氮化硼中单缺陷波长可选零声子发射的温度依赖性

我们研究了多层六方氮化硼（h-BN）薄片中基于缺陷的单光子源发出的尖锐零声子发射的分布和温度依赖光学性质。我们观察到来自光活性缺陷的尖锐发射线，其分布跨越超过500 meV的能量范围。光谱分辨光子关联测量验证了单光子发射，即使在同一h-BN薄片内多个发射线被同时激发。我们还详细研究了以575 nm和682 nm为中心的两条不同零声子线的温度依赖线宽、光谱能量移动和强度，揭示尽管跃迁能量差异很大，但温度依赖性几乎相同。我们的温度依赖结果最好用考虑与面内声子压电耦合的晶格振动模型来描述。最后，偏振光谱测量表明，575 nm发射线由532 nm激发直接激发，而682 nm线被间接激发。