二维与三维异质结构中的电子输运与热电势——理论视角
介观与纳米尺度物理
2019-10-02 v2
摘要
在本综述中，我们讨论界面与异质结对材料电子与热电输运性质的影响。我们回顾了从石墨烯到过渡金属硫族化合物（TMDs）、其同质结（晶界）、横向异质结（如石墨烯/MoS 横向界面）以及垂直范德瓦耳斯（vdW）异质结等二维（2D）材料电子输运理解的最新进展。我们还回顾了二维异质结热电性质方面的研究，以及其在谐振隧穿二极管（RTDs）等器件中的应用。最后，我们将焦点转向三维（3D）异质结构的工作。尽管 3D 异质结构中的输运已研究数十年，但在此我们回顾了通过 Wigner 函数和非平衡格林函数（NEGF）方法研究异质结量子效应对输运影响的理论与模拟最新进展。这些模拟技术已成功应用于理解异质结对热电性质的影响（在能量收集中的应用）以及电子谐振隧穿（在 RTDs 中的应用）。我们得出结论：在理解异质结构输运这一目标上，模拟与实验均取得了巨大进展，且该进展将很快转化为改进的能量转换器和量子纳米电子器件。
引用
@article{arxiv.1901.10976,
title = {Electronic Transport and Thermopower in 2D and 3D Heterostructures--A Theory Perspective},
author = {Arnab K. Majee and Adithya Kommini and Zlatan Aksamija},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.10976},
year = {2019}
}
备注
21 pages, 13 figures, review article, v2 expanded the figures